1. FQPF2N60
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厂商型号

FQPF2N60 

产品描述

MOSFET

内部编号

3-FQPF2N60

#1

数量:75
1+¥4.7771
25+¥4.3918
100+¥4.2378
500+¥4.0836
1000+¥3.8525
最小起订金额:¥₩600
新加坡
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#2

数量:0
最小起订量:1
美国费城
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质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

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FQPF2N60产品详细规格

标准包装 1,000
FET 型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点 Standard
漏极至源极电压(VDSS) 600V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C 1.6A
Rds(最大)@ ID,VGS 4.7 Ohm @ 800mA, 10V
VGS(TH)(最大)@ Id 5V @ 250µA
栅极电荷(Qg)@ VGS 11nC @ 10V
输入电容(Ciss)@ Vds的 350pF @ 25V
功率 - 最大 28W
安装类型 Through Hole
包/盒 TO-220-3 Full Pack
供应商器件封装 TO-220F
包装材料 Tube

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